Решения для лазерной очистки для полупроводниковой промышленности

Поскольку полупроводниковая технология продолжает сокращаться, передовые устройства на интегральных схемах превратились из плоских в трехмерные структуры. Процесс производства интегральных схем становится все более и более сложным, часто требуя сотен или даже тысяч технологических операций. При производстве передовых полупроводниковых устройств после каждого процесса на поверхности кремниевой пластины будет больше или меньше твердых частиц, остатков металлов или органических остатков. Постоянное уменьшение размеров элементов устройств и возрастающая сложность трехмерных структур устройств сделали полупроводниковые устройства все более чувствительными к загрязнению частицами, концентрации и количеству примесей.

Повышенные требования выдвинуты к технологии очистки загрязненных частиц на поверхности маски кремниевых пластин. Ключевым моментом является преодоление огромной силы адсорбции между загрязненными частицами и подложкой. В настоящее время многие производители полупроводников используют кислотные методы очистки. Мытье и ручная протирка не только неэффективны, но и приводят к вторичному загрязнению. Так какой же метод очистки в настоящее время больше подходит для очистки полупроводниковых изделий? Лазерная очистка в настоящее время является более подходящим методом. При сканировании лазером вся грязь на поверхности материала будет удалена, а также грязь в зазорах. Он легко снимается, не царапает поверхность материала и не вызывает вторичного загрязнения. Это безопасный выбор.

Кроме того, поскольку размеры устройств на интегральных схемах продолжают уменьшаться, потери материала и шероховатость поверхности в процессе очистки становятся проблемами, на которые необходимо обращать внимание. Удаление частиц без потери материала и повреждения рисунка является самым основным требованием. Технология лазерной очистки отличается уникальным контактом, отсутствием термического воздействия, отсутствием повреждений поверхности очищаемого объекта и отсутствием вторичных загрязнений, что является несравнимыми преимуществами традиционных методов очистки. Это лучший метод очистки полупроводниковых приборов от загрязнения.